长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证

IT之家 10 月 31 日消息，10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，报告期内，公司第五代工艺技术平台实现量产；在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证；LPDDR6 产品实现量产。

公告指出，第五代工艺技术平台是长鑫目前量产的最先进平台，目前推出的主要是 245Ball 和 496Ball 封装的 LPDDR5X 产品。未来，公司将基于该平台逐步升级现有产品线，例如 DDR5、LPDDR6 等，持续提升产品性能并丰富产品组合。同时，在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。

IT之家从公告获悉，第五代工艺技术平台每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效和成本控制方面具有显著优势。这主要得益于第五代工艺技术平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破，进一步降低了功耗并提升了接口速度，为 LPDDR6 未来大规模量产和商业化应用提供了技术平台支撑。目前，公司基于第六代工艺平台开发的 4F² 架构，通过更紧凑的布局显著缩小了存储单元面积、提高了单位面积存储密度，为未来的工艺技术平台迭代奠定了坚实基础。

4F² 架构是该公司面向下一代前瞻技术的重要布局。时间节点上，预计今年年底，该公司会将采用 4F² 架构的首代 DDR5 RDIMM 产品送样，应用方向上，会优先落地服务器等高附加值、对密度要求高的产品，后续逐步向其他品类延伸。规模量产将根据客户验证进度和市场需求情况稳步推进。九游会网址了解到，长鑫科技表示，4F² 架构采用了逻辑晶圆和存储晶圆键合堆叠的方式，在产品定义上具有更大的灵活度。此外，公司自研的 VSG（垂直环绕栅极）晶体管采用垂直包围沟道结构，为后续节点继续微缩打通了道路。